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全新光電科技股份有限公司...全新(2455)成立於1996年11月26日,是以MOCVD技術生產砷化鎵(GaAs)磊晶供應商,為台灣第一家本土砷化鎵磊晶製造商,全球排名為 ...
(一)公司簡介
1.沿革與背景
全新(2455)成立於1996年11月26日,是以MOCVD技術生產砷化鎵(GaAs)磊晶供應商,為台灣第一家本土砷化鎵磊晶製造商,全球排名為前三大製造商之一。
2.營業項目與產品結構
GaAs(砷化鎵)為III-V族二元化合物,相較於矽,GaAs電子移動速度高,應用於高頻元件時,雜訊較低、元件Size較小,並且在輻射較強、高溫(200℃)的環境下,不容易造成信號錯誤,適合用於通訊、衛星等應用。
其產品項目為: A.異質接面雙載子電晶體(HBT)磊晶片。 B.假晶高電子遷移率電晶體(pHEMT)磊晶片。 C.磷化銦異質接面雙載子電晶體(InP HBT)磊晶片 D.垂直整合HBT、PHEMT (BiHEMT)磊晶片 E.高聚光型太陽能電池(HCPV)磊晶片
產品圖
圖片來源:公司網站 http://www.vpec.com.tw[1]
(二)產品與競爭條件
1.產品與技術簡介
a.HBT(異質接面雙載子電晶體)
HBT因物理特性具備高線性度、良好寬頻響應、高崩潰電壓、高增益、高效率、較低寄生效應、無需負偏壓設計、低相位雜訊等優點,使其功能具有功率放大倍率佳、待機耗電流較低、體積小等特色,成為手機及WLAN用PA(功率放大器)之主流技術,至2005年HBT在手機PA之滲透率已超過9成。隨著無線通訊技術由2G(GSM)到4G(LTE或WiMAX)演進,開放的頻段增多,手機內PA數量之需求也增多,傳統2G&EDGE手機僅使用1-2顆PA,3G手機中有4-6顆PA,4G手機中則用到7顆PA。
b.PHEMT(假晶高速電子移動電晶體)
PHEMT具有超高頻及低雜訊特性,適用於高功率基地台,低雜訊放大...
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