太極擬再擴增10台碳化矽設備明年Q1導入量產 | 美容美髮公開資訊

2020年9月21日—太極看好，碳化矽(SiC)為化合物半導體產業的火車頭，和氮化鎵(GaN)同為第三代半導體材料，具有元件體積縮小、超高工作電壓、超高切換頻率及高溫下 ...

太極 (4934-TW[1]) 今 (21) 日指出，年底前將再增加 10 台碳化矽設備，預計明年第一季進入量產，初期客戶已台灣磊晶廠為主。

太極看好，碳化矽 (SiC) 為化合物半導體產業的火車頭，和氮化鎵 (GaN) 同為第三代半導體材料，具有元件體積縮小、超高工作電壓、超高切換頻率及高溫下元件較穩定等優點，而碳化矽基板分為 N 型 (導電型、電力電子用) 及半絕緣 SI (5G、小基站通訊用)。

太極現有碳化矽長晶設備 5 台，開發出 4 吋、6 吋 N 型及半絕緣產品，陸續進行客戶送樣驗證中，初期客戶以台灣磊晶廠為主，預計年底再增加 10 台設備建置，計劃明年第一季進入量產階段。

太極今年 6 月成立盛新材料，盛新目前實收資本額為 1000 萬元，其中，太極持股 64%，廣運持股 10%，預計未來將依進度增資，以及規劃朝向獨立上市櫃。

至於原有太陽能電池業務，太極表示，目前已集中至越南河內生產，並聚焦太陽能單晶 PERC 電池製造，總產能 800 MW，其中單晶 500 MW、多晶 300 MW，隨著整體太陽能需求持續復甦，印度市場也因疫情干擾因素收斂，下半年營運展望正向看。